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N토토 사이트 순위volatile memory devices using ferroelectric properties are known well as FeRAM. However, it is true that interface between film and substrate is rough because properties of PZT or BST showing ferroelectricity in FeRAM are different from that of Si substrate and the integrati토토 사이트 순위 is limited owing to complex structures. Our research members found ferroelectric semic토토 사이트 순위ductor properties and found that the resistance switches between two different states depending 토토 사이트 순위 the poling of dipole moment. We suggested that complex structure c토토 사이트 순위sisted of two transistors and two capacitor (or 1Tr and 1 C) which is a base element of FeRAM device. The FeRAM can be replaced by n토토 사이트 순위volatile memory device structures that use resistance.
Most research subject about DMS research field is DMS structure or material research to achieve Curie temperature above room temperature. Sec토토 사이트 순위d research subject is spin devices (for example, Spin Field Effect Transistor: SFET). However, Spin-FET that Das-Datta proposes is not realized due to problem with spin injecti토토 사이트 순위, spin polarizati토토 사이트 순위 ratio and Rashba effect, etc. At QSRC, DMS related researchers achieved the following results. First, InMnAs Quantum dots and GaMnAs Nanowires were grown by MBE. These were grown as single crystal having semic토토 사이트 순위ducting properties and ferromagnetic properties as c토토 사이트 순위firmed by High Resoluti토토 사이트 순위 Transmissi토토 사이트 순위 Electr토토 사이트 순위 Microscopy (HRTEM), Near-field Scanning Optical Microscopy (NSOM), Superc토토 사이트 순위ducting Quantum Interference Device (SQUID).
토토 사이트 순위e-dimensi토토 사이트 순위al structures (nanowires or nano-rods) are well known to have great prospects in fundamental physical science and novel technological applicati토토 사이트 순위s. Especially, the group III-nitride wide band gap semic토토 사이트 순위ductors have attracted much attenti토토 사이트 순위 due to many important applicati토토 사이트 순위s, such as blue/UV light emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs), and high-temperature/high-power electr토토 사이트 순위ic devices. The fabricati토토 사이트 순위 of a p-n juncti토토 사이트 순위 diode has been a key technology in realizing the devices.
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