토토 사이트PHYSICS/BK21 SEMINAR[09.11.25]
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“Functionalization and Chemical
Properties of Graphene”
Ø ♦ Speaker :토토 사이트Prof. Sunmin Ryu [Kyung Hee University]
Ø ♦ Place : Physics Seminar Room (Science Bldg, 3-201)
Ø ♦ Date & Time : Nov, 25(Wed)토토 사이트3:00토토 사이트~토토 사이트4:00 pm
Abstract
Atom-thick graphene membrane holds substantial potential for applications in future molecular-scale
integrated electronics, transparent토토 사이트conducting토토 사이트membranes,토토 사이트nanocomposites,토토 사이트etc.토토 사이트To토토 사이트realize토토 사이트this
potential, chemical properties of graphene need to be understood and토토 사이트functionalization토토 사이트toolkits토토 사이트are
also required. To meet this need,토토 사이트surface토토 사이트chemistry토토 사이트of토토 사이트graphene토토 사이트has토토 사이트been토토 사이트explored토토 사이트by토토 사이트Raman
spectroscopy, AFM and STM scanning probes. In the first part of the talk, two chemical reactions of
graphene will be presented.토토 사이트Hydrogenation,토토 사이트the토토 사이트simplest토토 사이트basal토토 사이트plane토토 사이트functionalization,토토 사이트is토토 사이트highly
reversible and strongly dependent on the thickness of graphene in the rate. Graphene sheets can be
locally hydrogenated with a high spatial resolution. Thermal oxidation also proceeds at a higher토토 사이트rate
for single layer than double layer토토 사이트graphene and triple layer graphene behaves like bulk graphite. The
second part of the talk will illustrate the influence of underlying silicon dioxide substrates and ambient
gases on properties of graphene. Raman spectroscopy shows that freestanding graphene is essentially
charge-neutral implying that the “usual” hole-doping토토 사이트in토토 사이트supported토토 사이트graphene토토 사이트is토토 사이트mediated by oxide
substrates. An STM study토토 사이트reveals토토 사이트that토토 사이트thermal토토 사이트annealing토토 사이트generates토토 사이트out-of-plane토토 사이트deformation토토 사이트of
nanometer-scale wavelength and distortion in sp2 bonding on an atomic scale. Graphene토토 사이트deformed
by annealing is found to be chemically active enough to토토 사이트bind토토 사이트molecular oxygen,토토 사이트which토토 사이트leads t o토토 사이트a
strong hole-doping. A possible form of oxides will be discussed.
Contact Person : Prof. Nam Ki Lee (054-279-2097,nklee@postech.ac.kr)